Den 30 januari 2026 invigdes FAMES Pilot Line i Grenoble, Frankrike, ett initiativ som syftar till att främja utvecklingen inom avancerad halvledarteknik. Detta projekt är en del av EU:s strategi för att stärka continentets teknologiska suveränitet.
FAMES Pilot Line, som står för ”Fully Depleted SOI and Advanced Memory for European Semiconductors”, är finansierad av EU och fokuserar på att skapa nästa generations energieffektiva halvledarlösningar. Den nya anläggningen sträcker sig över cirka 2 000 kvadratmeter och är utrustad med två källarplan, vilket möjliggör installation av stora maskiner. För att säkerställa oavbruten drift finns även speciella reservkraftsystem.
Verksamheten centreras kring FD-SOI-teknik (Fully Depleted Silicon-On-Insulator), 3D-integration och inbäddade minnen, samt effekthanteringskretsar (Power Management ICs), vilket ska bidra till att göra Europa mer självständigt inom halvledarproduktion. Kretsarna tillverkas på 300-mm-kiselwafer.
Inför invigningen samlades över 350 deltagare, som fick ta del av den utökade renrumsmiljön vid CEA-Leti i Grenoble. Jean-René Lequèpeys, biträdande direktör och teknisk chef vid CEA-Leti, uttalade i ett pressmeddelande: ”De tekniker som utvecklas inom FAMES är avsedda att stödja framtida generationer av FD-SOI-chip under 10 nanometer och möjliggöra högpresterande, energieffektiva komponenter för Europa.”
Anläggningen kommer att fungera som en öppen test- och utvecklingsmiljö, vilket gör det möjligt för europeiska startupföretag, små och medelstora företag, samt forskningsorganisationer att utveckla prototyper och kvalificera avancerad halvledarteknik.
FAMES fokuserar också på fullt fungerande 3D-integrerade CMOS-komponenter som tillverkas vid låga processtemperaturer, vilket ger möjlighet till tätare chiparkitekturer. Målet är att minimera riskerna och påskynda övergången från forskning till industriell produktion.
Den nya renrumsutbyggnaden är designad för energieffektiv drift och rymmer över 80 avancerade 300-mm-processverktyg. Projektet har finansierats med totalt 830 miljoner euro genom EU:s Chips Act och delaktiga medlemsländer. Målsättningen är att förkorta tiden mellan forskning och industrialisering, samtidigt som Europas teknologiska självständighet inom halvledare förstärks, enligt uppgifter från FAMES.
Lequèpeys betonade vidare att en skalning av FD-SOI till 10 och 7 nanometer skulle medföra betydande förbättringar i täthet, energiförbrukning, hastighet och radiofrekventa egenskaper jämfört med dagens teknologinoder. Med den nya tekniken hoppas FAMES kunna stärka Europas kapacitet inom halvledare i strategiska sektorer som fordon, telekom, AI, rymd och cybersäkerhet.
