FAMES Pilot Line invigdes den 30 januari 2026 i Grenoble, Frankrike, med fokus på att utveckla avancerad halvledarteknik. Detta EU-finansierade initiativ syftar till att förbättra Europas teknologiska suveränitet genom att skapa nästa generations energieffektiva halvledarteknologier.
Den nya anläggningen omfattar cirka 2 000 kvadratmeter renrum där höga tak möjliggör installation av stora maskiner. Med speciella reservkraftsystem säkerställs en oavbruten drift av verksamheten. Fokus ligger på FD-SOI-teknik (Fully Depleted Silicon-On-Insulator), 3D-integration och inbäddade minnen, samt effekthanteringskretsar, för att stärka Europas oberoende inom halvledarproduktion.
Kretsarna tillverkas på 300-mm-kiselwafer. Vid invigningen deltog över 350 personer, vilket markerade öppnandet av den utvidgade renrumsmiljön vid CEA-Leti i Grenoble. Jean-René Lequèpeys, biträdande direktör och teknisk chef vid CEA-Leti, uttalade att de teknologier som utvecklas inom FAMES syftar till att stödja framtida generationer av FD-SOI-chip som är mindre än 10 nanometer.
FAMES Pilot Line fungerar som en öppen test- och utvecklingsmiljö för europeiska startupföretag, små och medelstora företag, industrikoncerner och forskningsorganisationer som vill utveckla prototyper och minimera riskerna med avancerad halvledarteknik. Anläggningen är optimerad för energieffektiv drift och rymmer över 80 avancerade 300-mm-processverktyg.
Projektet finansieras med totalt 830 miljoner euro genom EU:s Chips Act och deltagande medlemsländer. Syftet är att minska tiden mellan forskning och industrialisering för att stärka Europas teknologiska självständighet inom halvledare. Lequèpeys framhöll att skalningen av FD-SOI till 10 och 7 nanometer ger betydande förbättringar i täthet, energiförbrukning, hastighet och radiofrekventa egenskaper jämfört med dagens teknologinoder.
Med den nya teknologin siktar FAMES på att stärka Europas kapacitet inom halvledare för strategiska områden, inklusive fordon, telekommunikation, AI, rymd och cybersäkerhet.
